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　　快科技1月13日消息，据报道，三星位于西安的NAND闪存工厂计划削减产量，减少10%以上，平均月产量从20万片晶圆降至17万片。 与此同时，三星在韩国华城的两条关键生产线12号和17号

　　快科技1月13日消息，据新闻媒体报道，三星电子已决定大幅度减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产，以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下降，确保公司的收入和利润。 DRAMeXchange的多个方面数据显示，截至2

　　快科技1月9日消息，1月8日，JEDEC固态技术协会宣布推出通用闪存存储标准UFS 4.1及其配套的主机控制器接口标准UFSHCI 4.1。 新标准在兼容UFS 4.0硬件的基础上，逐步优化数据访问加载速度和整体

　　快科技12月25日消息，据新闻媒体报道，面对市场需求疲软和价格持续下跌的压力，NAND闪存大厂美光将减少10%的NAND晶圆产量，以调控供给量，期望借此提振市场需求。 美光此前公布的财报及展望显示，尽

　　快科技12月9日消息，据新闻媒体报道，三星已成功开发出突破性的400层堆叠NAND Flash闪存技术，并已开始将该技术转移到大规模生产线。 这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND Flash的SK海力士。

　　快科技12月5日消息，据新闻媒体报道，三星即将在国际固态电路会议（ISSCC）上展示其最新的第10代超过400层3D NAND Flash，接口速度可达5.6 GT/s。 三星的这一新一代V-NAND保持了TLC（三级单元，或每

　　快科技12月2日消息，市场调查与研究机构Dram Exchange发布的多个方面数据显示，通用NAND固定价格自去年10月起连续5个月上涨后，从今年3月开始横盘，9月转为下跌趋势。 9月至11月，NAND价格环比分别下降11.44%

　　快科技11月29日消息，据新闻媒体报道，作为NAND Flash的主要供应商之一，铠侠计划在2024年12月实施减产，预计将有望促使NAND Flash价格止跌甚至会出现反转。 市场调研机构TrendForce指出，NAND Flash

　　快科技11月21日消息，今天SK海力士官方宣布，已开始量产全球首款321层1TB TLC 4D NAND闪存。 SK海力士表示，公司从2023年6月量产上一代238层NAND闪存产品，并供应市场，此次推出的321层NAND闪存

　　快科技11月15日消息，国产存储芯片大厂江波龙宣布，其自研SLC NAND Flash已经累计出货突破1亿颗。 江波龙称，SLC NAND Flash存储器产品是应用于网络通信设施、安防监控、物联网、便携设备等消费